收藏本站
Typical Electrical Characteristics
-20
-15
V GS = -10V
-8.0
-7.0
-6.0
-5.5
3
2.5
V GS = -3.5V
-4.0
-4.5
-5.0
-5.0
2
-5.5
-10
-5
-4.5
-4.0
-3.5
1.5
1
-6.0
-7.0
-8.0
-10
-3.0
0
0
-1
-2
-3
-4
-5
0.5
0
-3
-6
-9
-12
-15
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I D , DRAIN CURRENT (A)
1.6
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with Gate
Voltage and Drain Current.
2
1.4
1.2
1
0.8
I D = -3.4A
V G S = -10V
1.5
1
V GS = -10V
T J = 125°C
25°C
-55°C
0.6
-50
-25
0 25 50 75 100
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
125
150
0.5
0
-3
-6 -9
I D , DRAIN CURRENT (A)
-12
-15
-10
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with Drain
Current and Temperature.
1.2
-8
V DS = -10V
T J = -55°C
25°C
125°C
1.1
V DS = V GS
I D = -250μA
-6
-4
-2
1
0.9
0.8
0
-1
-2
-3
-4
-5
-6
0.7
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Figure 6. Gate Threshold Variation with
Temperature.
NDS9400A.SAM
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
NDS9407 MOSFET P-CH 60V 3A 8-SOIC
NDS9945 MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SOIC
NDS9948 MOSFET 2P-CH 60V 2.3A 8-SOIC
NDS9952A MOSFET N+P 30V 2.9A 8-SOIC
NDT014L MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT-223
NDT014 MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-223-4
NDT2955 MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT-223-4
NDT3055L MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4
相关代理商/技术参数
NDS9400A 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P LOGIC SO-8
NDS9400A_D87Z 功能描述:MOSFET Single P-Ch FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NDS9405 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NDS9405_D84Z 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NDS9407 功能描述:MOSFET Single P-Ch MOSFET Power Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NDS9407 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET
NDS9407_02 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V P-Channel PowerTrench MOSFET
NDS9407_D84Z 功能描述:MOSFET Single P-Ch MOSFET Power Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube